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      Stake > Stake中心 > 半导体应用 > 光刻晶圆

      技术规格展示

      制程

      能力及精度

      光刻胶涂布

      旋涂

      胶厚精度≤3%

      (适用于平面)

      光刻胶涂

      喷涂

      胶厚精度≤10%

      (适用于平面/凹凸面)

      光刻

      精度 2um

      套准精度:0.15um

      显影

      精度2um

      显影均匀性<5%

      蚀刻

      尺寸散差 ±1um

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